臺(tái)積電與三星為目前全球唯“二”能同時(shí)生產(chǎn) 7 納米、5 納米制程的廠(chǎng)商，不過(guò)，從目前雙方最先進(jìn)的制程來(lái)看，臺(tái)積電 5 納米制程已于今年第二季量產(chǎn)，通吃蘋(píng)果、超微等大客戶(hù)訂單，5 納米強(qiáng)化版也預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)；三星則傳出今年底可望量產(chǎn) 5 納米，除滿(mǎn)足自家 5G 手機(jī)芯片需求外，客戶(hù)也包括高通、Vivo。

　　不過(guò)，臺(tái)積電在客戶(hù)積極搶單下，5 納米制程已滿(mǎn)載，產(chǎn)能供不應(yīng)求，明年更將大增 3 倍之多，今年 5 納米制程營(yíng)收占比約 8%，明年至少 20%，據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技最新報(bào)告指出，臺(tái)積電積極擴(kuò)充 5 納米制程，明年底將囊括近 6 成先進(jìn)制程市占率，而三星 5 納米雖有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，但相較臺(tái)積電仍有約 2 成的產(chǎn)能落差。

　　除在先進(jìn)制程技術(shù)與產(chǎn)能領(lǐng)先三星，臺(tái)積電也搭配先進(jìn)封裝技術(shù)，整合 SoIC（系統(tǒng)整合芯片）、InFO（整合型扇出封裝技術(shù)）、CoWoS（基板上晶圓上芯片封裝） 等 3DIC 技術(shù)平臺(tái)為 3D Fabric，以服務(wù) Google、超微等金字塔頂端客戶(hù)的高階封裝需求。

　　三星也以 3D IC 封裝技術(shù) X-Cube 要與臺(tái)積電比拚，并宣布已在旗下 7 納米與 5 納米制程技術(shù)進(jìn)行驗(yàn)證；但臺(tái)積電在先進(jìn)封裝技術(shù)上已大有斬獲，傳出正與 Google 共同開(kāi)發(fā) SoIC 創(chuàng)新封裝科技，且先進(jìn)封裝產(chǎn)能將在明年啟動(dòng)建置，并于 2022 年開(kāi)始量產(chǎn)。

　　相較三星，臺(tái)積電身為純晶圓代工廠(chǎng)，多年來(lái)始終強(qiáng)調(diào)“不與客戶(hù)競(jìng)爭(zhēng)”，成為其最大優(yōu)勢(shì)之一，對(duì)客戶(hù)來(lái)說(shuō)，臺(tái)積電沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)利害關(guān)系；反觀三星并非純晶圓代工廠(chǎng)，本身也生產(chǎn)手機(jī)等終端產(chǎn)品，客戶(hù)向其投片容易存有疑慮，信任成為客戶(hù)是否愿意交付訂單的影響因素之一。

　　另一方面，臺(tái)積電 3 納米仍將沿用現(xiàn)行的、較成熟的鰭式場(chǎng)效應(yīng)電晶體 （FinFET） 架構(gòu)，三星則計(jì)劃采用全新的閘極全環(huán)場(chǎng)效電晶體 （Gate-All-Around， GAA），能更精準(zhǔn)控制通道電流、縮小芯片面積、降低耗電量，要借此彎道超車(chē)臺(tái)積電。