三星全球首秀3nm：在近日IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會(huì)上，三星首次展示了采用3nm工藝制造的SRAM存儲(chǔ)芯片。這款芯片容量可以達(dá)到256GB，但面積只有56平方毫米。

　　三星3nm預(yù)計(jì)明年投入量產(chǎn)，但尚未公布任何客戶。

　　更值得一提的是，在MBCFET技術(shù)的加持下，這款芯片寫入電壓只要0.23V，這對(duì)于芯片來講，漏電現(xiàn)象將大大的改善，是三星實(shí)現(xiàn)新工藝量產(chǎn)的一次重大進(jìn)步。

　　據(jù)悉，三星的3nm工藝采用的是GAAFET（環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管）技術(shù)，與上一代7LPP FinFET工藝相比，晶體管密度可以提高80%，性能最高可提升30%，功耗或降低50%。

　　其實(shí)近兩年臺(tái)積電給三星帶來了不少壓力，三星當(dāng)年在梁孟松的帶領(lǐng)下，用14nm的FinEFT工藝，從臺(tái)積電手中搶到了蘋果的訂單，不過在7nm和5nm工藝上卻被臺(tái)積電占了上風(fēng)，錯(cuò)失蘋果訂單。

　　據(jù)悉，臺(tái)積電從14nm到5nm，再到3nm都是很保守地采用FinEFT工藝，預(yù)計(jì)臺(tái)積電會(huì)在2nm芯片上應(yīng)用GAAFET技術(shù)，不過可能要等上三年左右才能面世。這也是為什么三星要搶在臺(tái)積電前面，提前在3nm工藝用上更新進(jìn)的GAA技術(shù)，目的是為了爭奪更多的臺(tái)積電訂單。

　　從目前來看，在訂單方面臺(tái)積電更勝一籌。據(jù)了解，在三星還沒有公布3nm工藝制程的時(shí)候，臺(tái)積電就基本確認(rèn)，包括蘋果、AMD、NVIDIA、聯(lián)發(fā)科、賽靈思、博通、高通等都在尋求其先進(jìn)工藝制程。

　　不過現(xiàn)在三星公布了采用GAA技術(shù)的3nm工藝制程，如果該工藝芯片后續(xù)能保證產(chǎn)能和性能，相信將會(huì)為三星帶來更多的訂單。